硅基电子芯片一直以来都是电子行业的主流材料，但随着科技的不断发展，对于更高性能和更小尺寸的需求逐渐增加，硅基电子芯片已经逐渐显露出局限性。因此，非硅基材料纳米电子器件的研究日益受到关注，并取得了一些进展。

研究人员开始关注非硅基材料的特性和潜力。例如，石墨烯作为一种新型二维材料，具有出色的导电性和热导性能，因此成为非硅基材料研究的热点之一。过渡金属二硫化物、氮化硼等材料也被广泛研究，它们具有良好的电子特性和机械性能，可以作为替代硅基材料的候选。

研究人员开始探索非硅基材料的制备方法。传统的硅基芯片制备工艺难以适用于非硅基材料，因此需要针对特定材料进行新工艺的开发。例如，石墨烯的制备需要采用化学气相沉积或机械剥离等方法，而过渡金属二硫化物的制备则需要利用化学溶液法或物理气相沉积法等。

随后，研究人员开始研究非硅基材料的电子器件结构和性能。非硅基材料具有不同于硅的电子特性，因此需要重新设计器件结构以充分发挥其优势。例如，石墨烯可以制备出高迁移率的场效应晶体管，而过渡金属二硫化物可以制备出高速的光电转换器件。

研究人员开始研究非硅基材料纳米电子器件在实际应用中的可行性。他们进行了一系列的实验和测试，评估了材料的稳定性、可靠性和性能。并且，非硅基材料纳米电子器件的研究逐渐扩展到能源存储、传感器和生物医疗等领域，取得了一些令人鼓舞的初步成果。

随着对于更高性能和更小尺寸的需求不断增加，非硅基材料纳米电子器件的研究逐渐取得了一些进展。从关注材料特性和潜力，到探索制备方法，再到研究器件结构和性能，最后到验证实际应用的可行性，研究人员逐步突破了硅基电子芯片的局限，为未来的电子科技发展打下了基础。